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第二百九十九章 摩尔定律你听说过没有（第1页）

沧海扬帆第一卷风起云涌第二百九十九章摩尔定律你听说过没有08实验室正在研制的光刻胶，也是国家半导体后备技术的一部分。

在这个时期，光刻胶并不属于国外向中国禁售的产品。

国际上生产光刻胶的厂商众多，国内的半导体企业能够轻而易举地买到各种光刻胶，而且价格也并不昂贵。

然而，国家却依然向枫林研究所下达了研制光刻胶的任务，其目的就是为了万一遭遇到国外的封锁，国内自己也能够提供出合用的光刻胶，确保少数关系国家安全的集成电路的生产不受影响。

所有的人都知道，国内自己研制的光刻胶生产成本会远远高于进口产品，质量则是远远不及，在市场上是绝对没有竞争力的。

但是，当事关国家生死存亡的时候，这些问题还有必要考虑吗？

枫林研究所研究的许多技术，都具有这样的特征。

相比西方国家而言，这些技术平均要落后一至两代，即使送给别人，人家也不屑一顾。

可这并不意味着枫林研究所的保密制度就是多余的。

保密的目的在于让对手不清楚我们的研究进度到了哪一步，无论对方高估或者低估了我们的水平，都会在战场博弈或者经济博弈中犯下一些或大或小的错误，而这些错误，可能就会成为我们的机会。

这是弱者的一种生存策略。

高凡对于国家的整体策略并不十分了解，但在他从云中明那里听到“光致抗蚀剂”

这个词的时候，他就产生出了一个念头：

或许，自己能够做一些事情。

“徐师兄，我听毕主任说，你们正在研究的是g线光刻胶。

对于i线以及krf光刻胶，你们有没有涉及？”

高凡问道。

他说的毕主任，叫毕连生，是08实验室的室主任，一位不苟言笑的中年知识分子。

光刻技术，按照使用的光源不同，可以分为许多类，或者称为不同代际也可以。

上世纪60年代，光刻技术刚刚出现的时候，使用的是普通的可见光光源，那时候的光刻机其实就是拿一个大灯泡照射掩膜板，和照相馆里冲洗照片没啥区别。

80年代，光源进化为采用高压放电汞灯产生的436纳米和365纳米光源，前者称为g线光源，后者称为i线光源，都属于近紫外光源。

90年代之后，出现了使用准分子激光器的248纳米、193纳米和157纳米光源，分别称为krf、arf和f2光源，属于深紫外光源。

再至于被誉为“皇冠上的明珠”

的euv光刻机，使用的是13.3纳米的极紫外光源，它的出现时间已经要算到2010年之后了。

时下，g线光源还是集成电路制造中使用的主流光源。

i线光源光刻机已经问世，但还没有得到大规模推广。

至于krf，实验室概念已经提出来了，真正投入使用，还得是十年后的事情。

光刻的原理，与冲洗照片是一样的。

首先，要把电路图制作成底片，称为掩膜。

光源通过掩膜照射在涂了光刻胶的芯片基材上。

光刻胶由树脂、感光剂、溶剂和添加剂组成，其中的感光剂在光线照射下会发生反应，使曝光区的光刻胶溶解，这就相当于把掩膜上的电路图案复制到了芯片基材上。